DMG4413LSS-13

• La Encapsulación: SOP-8
• Marca: Diodes
• Código de fecha: 16+
• Tipo de canal: P
• Corriente máxima de drenaje continuo: 12 A
• Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 30 V
• Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 10.2 mΩ
• Voltaje máximo del umbral de la compuerta: 2.1V
• Voltaje máximo de la fuente de la compuerta: -20 V, +20 V
• Tipo de paquete: SOIC
• Tipo de montaje: Surface Mount
• Configuración del transistor: Single
• Recuento de pines: 8
• Modo de canal: Enhancement
• Categoría: Power MOSFET
• Disipación de potencia máxima: 2.2 W
• Capacitancia de entrada típica @ Vds: 4965 pF @ -15 V
• Altura: 1.5mm
• Cargo típico de puerta @ Vgs: 46 nC @ 5 V
• Dimensiones: 4.95 x 3.95 x 1.5mm
• Longitud: 4.95mm
• Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
• Anchura: 3.95mm
• Tiempo de retardo de apagado típico: 160 ns
• Temperatura de funcionamiento máxima: +150 °C
• Cantidad de elementos por chip: 1
• Material del transistor: Si
• Tiempo típico de retardo de encendido: 15 ns

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