IRFB23N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB

La Encapsulación: TO-220
Marca: International Rectifier
Código de fecha: 17+
Corriente de drenaje (Máx): 23 A
Frecuencia (Máx): Not Required MHz
Voltaje Puerta-Fuente (Máx): ±30(V)
Potencia de salida (Máx): Not Required W
Disipación de potencia: 3.8(W)
Montaje: Through Hole
Figura de ruido: Not Required dB
Drain-Source On-Res: 0.09(ohm)
Rango de temperatura de funcionamiento: -55C to 175C
Tipo de paquete: TO-220AB
Recuento de pines: 3 +Tab
Polaridad: N
Tipo: Power MOSFET
Cantidad de elementos: 1
Clasificación de temperatura de funcionamiento: Military
Modo de canal: Enhancement
Drenar Eficiencia: Not Required %
Drain-Source On-Volt: 150(V)
Ganancia de poder: Not Required dB
Rad endurecido: No
Corriente de drenaje continuo: 23(A)
ELIMINADO: Compliant

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Type N channel of FET type
Technology MOSFET (metal oxide)
Leakage source voltage (Vdss) 150V
- continuous drain current (Id) (at 25 ° C) and a (Tc)
Drive voltage (maximum Rds On, minimum Rds On) 10V
Vgs (th) at different ids (th) (maximum) 5.5V 250
Gate Charge (Qg) (Max) Vgs 56nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) Vgs 10V
Vgs (maximum) plus or minus 30V
The Input Capacitance (Ciss) 1200 pf Vds (Max)
Voltage Coupled to the Input Capacitance (Ciss) 25 v Vds (Max)
FET function -
Power dissipation (maximum) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Different ids, Rds On (maximum) 90 millio 14A, 10V
Working temperature and 55 ° C to 175 ° C (TJ)
Install type through hole
Supplier components package TO-220AB
Package/shell TO-220-3