FQP19N20C

QFET? N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor’s new QFET? planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control. They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET? process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

La Encapsulación: TO-220
Marca: Fairchild
Código de fecha: 10+
Tipo de canal: N
Corriente máxima de drenaje continuo: 19 A
Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 200 V
Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 170 mΩ
Voltaje mínimo del umbral de la compuerta: 2V
Voltaje máximo de la fuente de la compuerta: -30 V, +30 V
Tipo de paquete: TO-220AB
Tipo de montaje: Through Hole
Recuento de pines: 3
Configuración del transistor: Single
Modo de canal: Enhancement
Categoría: Power MOSFET
Disipación de potencia máxima: 139 W
Anchura: 4.7mm
Cantidad de elementos por chip: 1
Material del transistor: Si
Tiempo típico de retardo de encendido: 15 ns
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
Cargo típico de puerta @ Vgs: 40.5 nC @ 10 V
Altura: 9.4mm
Serie: QFET
Temperatura de funcionamiento máxima: +150 °C
Longitud: 10.1mm
Dimensiones: 10.1 x 4.7 x 9.4mm
Tiempo de retardo de apagado típico: 135 ns
Capacitancia de entrada típica @ Vds: 830 pF @ 25 V

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